3A超強拉灌電流能力丨快速瞬態(tài)響應的DDR終端穩壓器TMI62033，適用工業(yè)控制FPGA、顯示屏（視頻轉換）等領(lǐng)域

在如今的大數據時(shí)代，通過(guò)對數據的存儲、挖掘、分析，不僅使生活更便利，也提升了幸福感。其中，DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）是指雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，一般簡(jiǎn)稱(chēng)DDR。發(fā)展至今，主要有DDR，DDR2，DDR3，DDR4，DDR5等版本。對于DDR SDRAM系統的電源供電，除了常規的VCC電源以外，要求有三組電源，分別為：VDDQ，VTT和VREF。其中，根據拓撲結構的不同，有的設計無(wú)需使用有源VTT（如控制器所帶較少數量DDR的情況下），而在一驅多的情況下，VTT要求拉灌電流能力較大，此時(shí)需要使用DDR終端穩壓器。為此，拓爾微推出一顆DDR終端穩壓器TMI62033，具有兼容DDR-DDR4的應用需求、具備3A的拉灌電流能力、更快的瞬態(tài)響應速度，能有效改善數據傳輸質(zhì)量；同時(shí)內置PG及多種保護功能，保障輸出系統更穩定，適用工業(yè)控制FPGA、顯示屏（視頻轉換）等領(lǐng)域。

3A拉灌電流能力，更優(yōu)的負載調整率，改善數據傳輸質(zhì)量

通常一個(gè)控制器會(huì )下掛很多DDR顆粒，導致總線(xiàn)上的拉灌電流較大，因此需要能瞬間提供較大拉灌電流能力的VTT電源。TMI62033具備3A的拉灌電、流能力，負載調整率及電壓穩定性能力均優(yōu)于競品，有效改善數據傳輸質(zhì)量。如下實(shí)測對比：

拉灌電流能力&負載調整率對比圖

相同外圍參數下，TMI62033在帶載±3A條件下，電壓變化可控制在±25mV以?xún)?。同條件下xxx51200在帶載±2A下，電壓變化達到±35mV以?xún)取?/span>

更快的瞬態(tài)響應速度，輸出更穩定

作為DDR終端穩壓器，其動(dòng)態(tài)特性在數據傳輸過(guò)程中也是至關(guān)重要；TMI62033相對競品有著(zhù)更快的的動(dòng)態(tài)響應速度，實(shí)現更低的動(dòng)態(tài)輸出紋波，輸出更加穩定。如下實(shí)測波形對比：

實(shí)測動(dòng)態(tài)紋波

高兼容性、內置PG及多種保護功能

TMI62033 可支持的DDR SDRAM內存種類(lèi)有 DDR、DDR2、 DDR3、LPDDR3、DDR3L、 DDR4和LPDDR4等的VTT供電應用；芯片內置PGOOD功能，反饋電源狀態(tài)給主控；同時(shí)內置多種保護功能，軟啟動(dòng)、欠壓鎖定 (UVLO) 、過(guò)流限制 (OCL)、熱關(guān)斷保護等，進(jìn)一步提升系統的安全可靠性。

典型應用原理圖

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 輸入電壓范圍：2.375V 至 3.5V

• VLDOIN 電壓范圍：1.1V 至 3.5V

• VREFIN, VREFOUT, VO電壓范圍：0.5V 至 1.8V

• 具有最大3A灌電流和拉電流終端穩壓器

• ±25mA 基準帶載能力 (REFOUT)

• 優(yōu)化內部環(huán)路補償實(shí)現更小的動(dòng)態(tài)紋波

• 用于監視輸出穩壓的 PGOOD

• 遠程檢測 (VOSNS)

• REFIN 允許直接或通過(guò)分壓電阻與VDDQ連接

• 內置軟啟動(dòng)、欠壓鎖定 (UVLO) 、過(guò)流限制 (OCL)、熱關(guān)斷保護

• DFN3x3-10 封裝

隨著(zhù)數據的爆炸式增長(cháng)，DDR供電系統也在不斷地更新?lián)Q代，為了提高能效，主電源電壓不斷降低，內存協(xié)議不斷的更新，拓爾微電子將在現有的技術(shù)上不斷突破自我，迅速推出更多能解決客戶(hù)痛點(diǎn)的系列化產(chǎn)品，加速技術(shù)和產(chǎn)品創(chuàng )新迭代，為產(chǎn)業(yè)提供可靠性助力，為行業(yè)生態(tài)的完善增加“芯”動(dòng)力。